AlXGa1-XN_GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:17 | 查看全部 阅读模式

会议论文《AlXGa1-XN_GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应》探讨了在AlXGa1-XN/GaN异质结构中,二维电子气(2DEG)的自旋光电流特性。研究通过实验分析了自旋极化电流的产生机制及其对器件性能的影响,为基于自旋电子学的新型半导体器件开发提供了理论依据和技术支持。

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AlXGa1-XN_GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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