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4H-SiC同质外延层的表征 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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会议论文《4H-SiC同质外延层的表征》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文系统研究了4H-SiC同质外延层的结构和性能，通过多种表征技术分析其晶体质量与缺陷分布，为提升SiC器件性能提供了重要依据。

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器件, 表征, 外延, 同质, 化合物

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