会议论文《用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型》针对三维集成电路中的硅通孔互连结构，提出了适用于高频应用的电学模型。该研究通过理论分析与实验验证，揭示了硅通孔在高频下的电磁特性，为三维集成技术的优化设计提供了重要依据。
文档为pdf格式，0.71MB，总共5页。
举报
