文档名：退火条件对氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响
利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火条件对薄膜的微观结构和光学性能的影响.实验结果表明:真空退火后的薄膜结晶性能均较差,随着退火温度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜内部的N含量均减少,禁带宽度从2.83eV增加到3.21eV;常压条件下退火,薄膜的结晶性变优,晶粒变大,薄膜内部N含量减少,禁带宽度增加到2.93eV.
作者：杨勇姚婷婷李刚金克武王天齐沈洪雪彭赛奥甘治平马立云
作者单位：蚌埠玻璃工业设计研究院,浮法玻璃新技术国家重点实验室,蚌埠233018
母体文献：2017年全国玻璃科学技术年会论文集
会议名称：2017年全国玻璃科学技术年会
会议时间：2017年8月27日
会议地点：秦皇岛
主办单位：中国硅酸盐学会
语种：chi
分类号：TM2TB3
关键词：半导体材料 二氧化钛薄膜 氮掺杂 射频磁控溅射 禁带宽度 光学性能
在线出版日期：2021年3月22日
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