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AIN_Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:15 | 查看全部阅读模式

会议论文《AIN_Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究》探讨了在AIN/Si(111)衬底上采用化学气相沉积法生长4H-SiC外延层的工艺与性能。研究分析了生长条件对晶体质量的影响，为高性能SiC器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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AIN_Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 衬底, 外延, 化合物, 微波

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