会议论文《一种实现增强型AlGaN_GaN HEMT新方法》在全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议上发表。该文提出了一种创新的工艺技术，通过优化材料生长和器件结构设计，有效提升了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能。该方法在保持高功率和高频特性的同时，实现了器件的增强型工作模式，为射频和微波领域提供了更优的解决方案。
文档为pdf格式，0.13MB，总共3页。
举报
