氮化镓外延层电子辐照损伤光致发光分析 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 04:40 | 查看全部 阅读模式

会议论文《氮化镓外延层电子辐照损伤光致发光分析》探讨了电子辐照对氮化镓外延层的损伤效应,通过光致发光技术进行分析。研究揭示了辐照后材料的光学性质变化,为评估器件可靠性提供了重要依据。该成果对于提升氮化镓基半导体器件的性能和稳定性具有重要意义。

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氮化镓外延层电子辐照损伤光致发光分析 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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