本文介绍了国产工艺部分耗尽SOIPMOSFET在总剂量辐照下的性能变化及退火效应。研究通过实验分析了辐射对器件电学特性的影响，发现辐照后阈值电压漂移和跨导下降明显。退火处理可部分恢复器件性能，但效果受退火温度和时间影响。该研究为提高半导体器件抗辐射能力提供了参考依据。
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