会议论文《基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究》探讨了在0.1μm PDSOI工艺下，射频MOS器件在电离总剂量辐照下的性能变化。研究通过实验分析了辐照对器件阈值电压、跨导及漏电流等参数的影响，评估了其抗辐射能力，为高可靠性射频电路设计提供了参考依据。
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