会议论文《不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响》探讨了在低剂量率电离辐照下，不同偏置条件对NPN双极晶体管性能的影响。研究结果表明，偏置电压显著影响器件的辐射敏感性，不同工作状态下的载流子行为和缺陷生成机制存在差异，为提高电子器件在辐射环境中的可靠性提供了理论依据。
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