两种典型电子元器件的中子辐照损伤分布研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 12:31 | 查看全部 阅读模式

会议论文《两种典型电子元器件的中子辐照损伤分布研究》探讨了中子辐照对电子元器件的影响,分析了不同材料在中子辐射下的损伤特性。该研究为提高电子设备在辐射环境中的可靠性提供了理论依据和技术支持,具有重要的工程应用价值。

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两种典型电子元器件的中子辐照损伤分布研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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