会议论文《中子辐照超深亚微米NMOSFET的数值模拟研究初探》探讨了中子辐照对超深亚微米NMOSFET器件性能的影响。通过数值模拟方法，分析了辐照引起的电荷积累、阈值电压漂移及载流子迁移率变化等关键问题，为提升半导体器件在辐射环境下的可靠性提供了理论依据。
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