会议论文《锡锗LED及其MBE工艺探索与研究》介绍了基于锡锗材料的发光二极管（LED）的开发及分子束外延（MBE）工艺的研究。该研究探讨了锡锗合金在光电子器件中的应用潜力，分析了MBE生长条件对材料性能的影响，为新型半导体光源的实现提供了理论支持和技术路径。
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