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浮结浓度对SiC UMOSFET击穿电压的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 06:52 | 查看全部阅读模式

会议论文《浮结浓度对SiC UMOSFET击穿电压的影响》探讨了浮结浓度对碳化硅超结MOSFET击穿电压的影响。研究通过仿真与实验分析，揭示了浮结浓度变化对器件电场分布及击穿特性的作用机制，为优化SiC UMOSFET性能提供了理论依据和技术参考。

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浮结浓度对SiC UMOSFET击穿电压的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 浓度, 集成电路, 半导体, 电压

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