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AlXGa1-XN_GaN异质结中的Rashba自旋劈裂 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:17 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlXGa1-XN_GaN异质结中的Rashba自旋劈裂》探讨了在AlXGa1-XN/GaN异质结中Rashba自旋劈裂现象。该研究对半导体器件的自旋电子学应用具有重要意义，分析了材料结构对自旋轨道耦合的影响，为未来高性能电子器件的设计提供了理论依据。

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器件, 劈裂, 自旋, 化合物, 微波

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