会议论文《4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响》探讨了4H-SiC外延层中常见缺陷的形成机制及其对器件性能的影响。研究指出，位错、堆垛层错等缺陷会显著影响肖特基二极管的电学特性，如漏电流和击穿电压。通过分析缺陷分布与器件性能的关系，论文为优化4H-SiC外延生长工艺提供了理论依据，有助于提升功率电子器件的可靠性与效率。
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