会议论文《3C-SiC(001)-(21)表面原子与电子结构研究》探讨了3C-SiC材料在(001)晶面上的原子排列及电子特性。通过理论计算与实验分析,研究揭示了该表面的结构特征及其对电子行为的影响,为SiC器件的优化设计提供了重要依据。该成果在第11届全国固体薄膜会议上发表,受到广泛关注。
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