椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比 - 第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会.pdf

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2026-1-11 04:35 | 查看全部 阅读模式

会议论文《椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比》介绍了利用椭偏光谱技术对非晶硅薄膜中的晶粒尺寸和体积比例进行定量分析的方法。该研究为纳米材料的结构表征提供了有效手段,有助于深入理解材料的物理性质与微结构之间的关系。

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椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比 - 第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会
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