会议论文《化学溶池法制备CuInGaSe2太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的研究进展》介绍了采用化学溶池法在CuInGaSe2基底上制备ZnS薄膜的最新研究。该方法具有工艺简单、成本低等优势，对提高太阳能电池效率有重要意义。文章详细分析了制备工艺参数对ZnS薄膜性能的影响，并探讨了其在太阳能电池中的应用前景。
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