会议论文《SiO2层上沉积纳米多晶硅薄膜及特性研究》探讨了在SiO2基底上制备纳米多晶硅薄膜的方法及其物理特性。研究通过化学气相沉积技术实现了薄膜的均匀生长，并分析了其结构、光学和电学性能。该成果对微电子器件和光电器件的发展具有重要意义。
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