会议论文《SiC衬底上物理气相传输法制备AlN晶体的研究》介绍了在SiC衬底上采用物理气相传输法生长AlN晶体的实验过程与结果。研究探讨了生长条件对AlN晶体质量的影响，为高质量AlN单晶的制备提供了新思路，对宽禁带半导体器件的发展具有重要意义。
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