会议论文《Pt_4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究》探讨了通过氢等离子体处理改善Pt/4H-SiC肖特基二极管性能的方法。研究结果表明，氢等离子体处理能够有效降低界面缺陷密度，提高器件的电学性能和稳定性，对提升碳化硅功率器件的可靠性具有重要意义。
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