会议论文《PVT法生长SiC晶体过程中的源-衬距维持》探讨了物理气相传输法（PVT）在SiC晶体生长中源-衬距的控制问题。该研究针对生长过程中源材料与衬底间距的变化对晶体质量的影响进行了分析，提出有效的维持方法以提高晶体均匀性和质量。文章为优化SiC晶体生长工艺提供了理论依据和技术支持。
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