会议论文《SiC MOS界面氮氢等离子体改性及电学特性研究》探讨了通过氮氢等离子体对SiC MOS界面进行改性，以改善其电学性能。研究结果表明，该方法能有效降低界面缺陷密度，提高载流子迁移率和器件稳定性。论文为SiC功率器件的优化提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。
文档为pdf格式，0.19MB，总共3页。
举报
