会议论文《SiO2_SiC界面氮钝化机理研究》探讨了氮元素在SiO2/SiC界面的钝化作用及其对器件性能的影响。通过实验分析，研究揭示了氮原子如何有效减少界面缺陷密度，提升界面质量，从而改善器件的电学特性。该成果为高性能SiC器件的开发提供了理论依据和技术支持。
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