Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议.pdf

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2026-1-11 00:41 | 查看全部 阅读模式

会议论文《Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究》探讨了通过Si离子自注入技术在硅晶体中形成的不同发光中心。该研究为硅基光电子器件提供了理论依据,有助于开发新型光源和光电探测器。论文在第七届中国功能材料及其应用学术会议上发表,展示了我国在半导体材料领域的最新研究成果。

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Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议
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