会议论文《Si衬底InGaN大功率LED芯片制备》介绍了基于Si衬底的InGaN大功率LED芯片的制备技术。文章探讨了在Si基板上生长高质量InGaN材料的关键工艺，分析了其在光效、热管理及可靠性方面的优势。该研究为大功率LED的产业化提供了重要技术支持，对推动LED产业发展具有重要意义。
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