本文通过第一性原理计算研究了SiO2-SiC界面悬挂键的磷钝化机制。结果表明，磷原子能够有效填补界面处的悬挂键，降低界面态密度，改善界面电学性能。该研究为优化SiO2-SiC界面质量提供了理论依据，对化合物半导体器件的性能提升具有重要意义。
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