Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究 - 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED).pdf

会议论文《Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究》发表于第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)。该文研究了基于Si衬底的GaN功率型蓝光LED在长期工作下的老化特性，分析了其亮度衰减、电学性能变化及可靠性问题，为提高LED器件寿命和稳定性提供了理论依据和技术支持。

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Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究 - 第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED).pdf

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