Si与SiC微波功率器件的比较 - 2010年全国半导体器件技术研讨会.pdf

5 0
2026-1-11 00:41 | 查看全部 阅读模式

会议论文《Si与SiC微波功率器件的比较》探讨了硅(Si)与碳化硅(SiC)在微波功率器件中的性能差异。文章分析了两种材料在高频、高温及高功率应用中的表现,指出SiC器件具有更高的击穿电压和热导率,适合更高性能的应用。同时,Si器件在成本和成熟度方面仍具优势。该研究为微波功率器件的材料选择提供了重要参考。

文档为pdf格式,0.46MB,总共3页。

Si与SiC微波功率器件的比较 - 2010年全国半导体器件技术研讨会
文件大小:
471.04 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1