会议论文《正栅压偏置下增强型AlGaN_GaN HEMT器件的退化机理研究》探讨了在正栅压偏置条件下，增强型AlGaN/GaN HEMT器件的退化机制。研究通过实验分析了器件在长时间工作下的性能变化，揭示了电荷捕获、界面态变化及沟道载流子迁移率下降等因素对器件可靠性的影响，为提升器件稳定性和寿命提供了理论依据。
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