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基于Zr02的阻变存储器阻变机理研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 03:59 | 查看全部阅读模式

会议论文《基于Zr02的阻变存储器阻变机理研究》探讨了氧化锆（ZrO2）在阻变存储器中的应用及其工作原理。该研究通过实验分析，揭示了ZrO2薄膜在电场作用下发生的电阻变化机制，为高性能、低功耗存储器的发展提供了理论支持和技术参考。

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基于Zr02的阻变存储器阻变机理研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 存储器, 机理, 集成电路, 半导体

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