长波及窄带双色InAs_GaSb二类超晶格红外探测器 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 20:41 | 查看全部 阅读模式

论文《长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器》介绍了基于InAs/GaSb二类超晶格结构的双色红外探测器。该研究通过优化能带结构,实现了长波和窄带双色响应,提升了探测器的性能与应用潜力。文章针对材料生长、器件设计及光电特性进行了深入分析,为高性能红外探测技术提供了理论支持与实验依据。

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长波及窄带双色InAs_GaSb二类超晶格红外探测器 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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