会议论文《高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN_GaN HEMT研制》介绍了基于半绝缘4H-SiC衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研制成果。该研究旨在提升器件性能与可靠性，适用于高频、高功率应用。通过优化材料生长与器件结构设计，实现了优异的电学特性与热稳定性，为下一代射频器件提供了有力支持。
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