高分辨X射线衍射测定GaN外延膜的晶格常数 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会.pdf

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2026-1-12 19:35 | 查看全部 阅读模式

会议论文《高分辨X射线衍射测定GaN外延膜的晶格常数》探讨了利用高分辨X射线衍射技术精确测量GaN外延薄膜晶格常数的方法。该研究对半导体材料的结构分析具有重要意义,有助于提高GaN器件的性能和可靠性。论文发表于四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会,为相关领域的研究提供了理论支持和技术参考。

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高分辨X射线衍射测定GaN外延膜的晶格常数 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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