会议论文《高介BST材料对MIS结构AlGaN_GaN HEMT器件性能的影响》探讨了高介电常数BST材料在MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件中的应用。研究结果表明，BST材料能够有效改善器件的电学性能，提升其迁移率和开关特性。该工作为高性能功率电子器件提供了新的材料选择与设计思路。
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