高功率InGaN蓝紫光激光器列阵 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 19:35 | 查看全部 阅读模式

会议论文《高功率InGaN蓝紫光激光器列阵》介绍了基于InGaN材料的高功率蓝紫光激光器列阵的研究进展。该研究针对高亮度、高效率和稳定性进行了深入探讨,提出了优化结构设计和工艺方案。论文展示了在器件性能方面的突破,为下一代光存储、显示和照明技术提供了重要支持。

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高功率InGaN蓝紫光激光器列阵 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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