非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究》探讨了非掺杂液封直拉法（LEC）生长的InAs单晶中残留杂质对其电学性能的影响。研究通过分析不同杂质元素的分布及浓度，评估了其对载流子迁移率和电阻率的作用，为优化InAs单晶的制备工艺提供了理论依据。

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非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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