会议论文《高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究》探讨了两种不同类型的GaN材料在黄光区域的发光特性。通过实验分析，揭示了高阻GaN与非故意掺杂常规GaN在载流子行为及发光机制上的差异，为优化GaN基器件性能提供了理论依据。
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