会议论文《锗硅衬底离子注入模拟研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该研究通过计算机模拟方法，分析了锗硅衬底在离子注入过程中的物理行为，探讨了注入参数对材料性能的影响。论文为优化半导体器件制造工艺提供了理论依据和技术支持，具有重要的应用价值。
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