会议论文《高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器》介绍了基于InAs/GaAs量子点的1.3μm波段激光器设计与性能研究。通过P型掺杂技术，有效提升了器件的特征温度，改善了高温工作稳定性。该研究采用五层量子点结构，优化了载流子分布与光子限制，为高速光通信应用提供了高性能光源解决方案。
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