高质量无应变InAlN_GaN异质结材料研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《高质量无应变InAlN_GaN异质结材料研究》探讨了无应变InAlN/GaN异质结的制备与性能优化。研究通过精确控制材料生长参数，有效降低了界面应变，提升了晶体质量。该成果对高性能功率器件和射频器件的开发具有重要意义。

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高质量无应变InAlN_GaN异质结材料研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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