长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 19:10 | 查看全部 阅读模式

会议论文《长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究》探讨了该材料的晶体结构和电学性能,重点分析了其在长波红外探测中的应用潜力。研究通过X射线衍射和扫描电子显微镜等手段表征了材料的结构特性,并测试了p-n结的电流-电压特性。结果表明,该材料具有良好的晶格质量与稳定的电学性能,为长波红外探测器的开发提供了理论依据和技术支持。

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长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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