会议论文《高性能Si基Ge探测器的研制》介绍了基于硅基的锗探测器的制备与性能优化。该研究通过改进外延生长技术，提升了Ge层的质量和光电响应特性。实验结果表明，该探测器在近红外波段表现出优异的灵敏度和响应速度，具有广阔的应用前景。论文为高性能光电子器件的开发提供了重要参考。
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