衬底温度对电子束蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响

文档名：衬底温度对电子束蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响
本文采用电子束蒸发法在钠钙玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜,研究了衬底温度对铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,铜铟镓硒薄膜中出现MoSe2相和Cu2_xSe相,当衬底温度为300℃时,制备的铜铟镓硒薄膜获得最好的结晶质量,制作的铜铟镓硒太阳电池获得7.1％的最高转换效率.通过建立禁带宽度与开路电压的关系模型,解释了不同衬底温度下制备的铜铟镓硒太阳电池的开路电压的差异.
作者：陈洁仪沈鸿烈
作者单位：南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京210016
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会  
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：TN3O48
关键词：铜铟镓硒薄膜  电子束蒸发法  衬底温度  光电性能  太阳电池
在线出版日期：2021年3月22日
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