本文研究了衬底温度及氢掺杂对W掺杂ZnO薄膜性能的影响。通过改变衬底温度和H掺杂浓度，分析其对材料结构、光学和电学性质的影响。实验结果表明，适当提高衬底温度和优化H掺杂比例可显著改善ZnO的晶体质量与导电性能，为高性能光电器件的应用提供了理论依据。
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