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蓝宝石衬底上高性能InAlN_GaN异质结及场效应晶体管研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2025-12-14 20:03 | 查看全部阅读模式

本文介绍了在蓝宝石衬底上制备的高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管的研究成果。通过优化材料生长工艺，提升了异质结的界面质量和电子迁移率，从而改善了器件性能。研究结果表明，所制备的晶体管具有较低的漏电流和较高的跨导，展现出良好的应用前景。

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蓝宝石衬底上高性能InAlN_GaN异质结及场效应晶体管研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议

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衬底, 学术会议, 晶体管, 蓝宝石, 固体

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