外电场对AlN_GaN双量子阱中子带间跃迁的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《外电场对AlN_GaN双量子阱中子带间跃迁的影响》探讨了外加电场对AlN/GaN双量子阱结构中电子带间跃迁特性的影响。研究通过理论模拟与实验分析相结合的方法，揭示了电场强度变化对能带结构及光致发光特性的影响规律，为优化氮化物基光电器件性能提供了理论依据。

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