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基于High-k介质钝化层对AlGaN_GaN HEMT击穿电压影响的仿真研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 03:50 | 查看全部阅读模式

会议论文《基于High-k介质钝化层对AlGaN_GaN HEMT击穿电压影响的仿真研究》探讨了High-k介质在AlGaN/GaN HEMT器件中的应用，分析其对器件击穿电压的影响。通过仿真方法，研究了不同High-k材料对器件性能的优化效果，为提升器件可靠性提供了理论依据。

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基于High-k介质钝化层对AlGaN_GaN HEMT击穿电压影响的仿真研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 集成电路, 介质, 半导体, 电压

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