会议论文《MOCVD生长GaN_GaMnN多层结构的磁学性质研究》探讨了通过MOCVD技术制备的GaN与GaMnN多层结构的磁学特性。研究分析了不同生长参数对材料磁性能的影响,揭示了其在稀磁半导体领域的应用潜力。该成果为开发新型自旋电子器件提供了理论支持和技术参考。
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