MOCVD生长GaN_GaMnN多层结构的磁学性质研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《MOCVD生长GaN_GaMnN多层结构的磁学性质研究》探讨了通过MOCVD技术制备的GaN与GaMnN多层结构的磁学特性。研究分析了不同生长参数对材料磁性能的影响,揭示了其在稀磁半导体领域的应用潜力。该成果为开发新型自旋电子器件提供了理论支持和技术参考。

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MOCVD生长GaN_GaMnN多层结构的磁学性质研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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